イオンビームアシスト蒸着法により作製した窒化ニオブフィールドエミッタの電子放出特性

DOI Web Site 参考文献7件
  • 後藤 康仁
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 長尾 昌善
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 浦 利之
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 辻 博司
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 石川 順三
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Electron Emission Characteristics of Niobium Nitride Field Emitters Prepared by Ion Beam Assisted Deposition.
  • イオンビームアシスト ジョウチャクホウ ニ ヨリ サクセイ シタ チッカ ニオブフィールドエミッタ ノ デンシ ホウシュツ トクセイ

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抄録

Electron emission characteristics of niobium nitride field emitter arrays were investigated as a function of nitrogen composition of niobium nitride. Field emitter arrays with 1024 tips were fabricated by depositing niobium nitride onto the silicon field emitter array, which was fabricated by photolithography and wet etching technique. The electron emission characteristics such as current-voltage characteristics and current fluctuation were measured in ultra high vacuum. The results showed that the field emitter array with mononitride showed lower effective work function and lower current fluctuation. The present results indicated that stoichiometric niobium nitride is preferred composition for field emission cathodes of vacuum microelectronics.

収録刊行物

  • 真空

    真空 42 (3), 309-312, 1999

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献 (7)*注記

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