Operation Principle and Development Trend of Transistor-Type Ferroelectric Memories
-
- TOKUMITSU Eisuke
- Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology
-
- ISHIWARA Hiroshi
- Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
Bibliographic Information
- Other Title
-
- 強誘電体薄膜メモリーの最近の動向 強誘電体ゲートトランジスタの動作原理と開発動向
- カイセツ キョウ ユウデンタイ ゲートトランジスタ ノ ドウサ ゲンリ ト カイハツ ドウコウ
Search this article
Journal
-
- Journal of The Surface Finishing Society of Japan
-
Journal of The Surface Finishing Society of Japan 51 (7), 669-675, 2000
The Surface Finishing Society of Japan
- Tweet
Keywords
Details 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282679092657024
-
- NII Article ID
- 10006249607
-
- NII Book ID
- AN1005202X
-
- ISSN
- 18843409
- 09151869
-
- NDL BIB ID
- 5408596
-
- Text Lang
- ja
-
- Data Source
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
