21 化学増幅ポジ型電子線レジストの材料設計指針

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  • 堀邊 英夫
    大阪市立大学大学院工学研究科化学生物系専攻

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タイトル別名
  • 21 Material Design of the Chemically Amplified Positive Type Electron Beam Resist
  • 化学増幅ポジ型電子線レジストの材料設計指針
  • カガク ゾウフク ポジガタ デンシセン レジスト ノ ザイリョウ セッケイ シシン

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抄録

<p>化学増幅ポジ型電子線レジストとして，ベース樹脂，溶解抑制剤，酸発生剤からなる3成分レジストにおいて，レジスト感度，解像度の観点から材料設計指針について解説する。ベース樹脂には，tBOC-PVPを開発しtBOC-PVPのtBOC化率が高いほど感度は低下し解像度は向上するためその最適値を決定した。溶解抑制剤は，未露光部の溶解速度の低下のみならず，露光部の溶解速度の向上にも寄与し，露光後に酸性度が高くなるジカルボン酸エステルが最適であった。酸発生剤としては，オニウム塩のカチオン部には電子線吸収量が大きくなる原子番号の大きい元素を，アニオン部には高酸性度の化合物を用いると，感度は向上する。</p>

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