シリカ表面のテトラフルオロメタンプラズマ処理によるフッ素化とラジカル生成およびエキソ電子放射との関連

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タイトル別名
  • Fluorination of Silica Surface by Tetrafluoromethane Plasma Treatment and Its Relationship to Radical Formation and Exoelectron Emission
  • シリカ ヒョウメン ノ テトラフルオロメタン プラズマ ショリ ニ ヨル フッ
  • Special Articles on Technology and Its Characterization for Synthesis of Inorganic Materials. Fluorination of Silica Surface by Tetrafluoromethane Plasma treatment and Its Relationship to Radical Formation and Exoelectron Emission.

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シリカ表面のCF4プラズマ処理によるフッ素添加とプラズマ照射効果として観測されるラジタル生成とエキソ電子放射を調べた。プラズマ処理はRF電源を用いて行った。処理後,空気中に取り出したときのセリカ表面の化学構造,ラジカルの生成,エキソ電子活性を,それぞれ,X線光電子分光法(XPS)とIR,電子スピン共鳴(ESR),熱刺激エキソ電子放射(TSEE)によって測定した。表面にはSiF,CFx,C=O成分が存在することがわかった。ESR測定ではかなり大きい非対称的なシグナルが観測された。処理後空気中に放置すると,フッ素もラジカルも一部減少することがわかった。ESRシグナルはシリカ表面に取り込まれたCF基のようなフシ素化炭素と空気中酸素との反応により生成したペルオキシラジカルに起因すると考えられる。シリカ表面を室温から300℃ まで加熱したときのTSEE測定では～250℃ にエキソ電子放射強度の極大が観測された。これも表面に取り込まれたフッ素と強く関係づけられる。CF4プラズマと比較するためArプラズマ処理も行った。この場合は弱い対称的なESRシグナルが得られたが,TSEEは観測されなかった。

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