高分子合成用ラジカル発生試薬による水素化ダイヤモンド表面の液相中での水素引き抜き反応

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タイトル別名
  • Hydrogen Abstraction Reaction of Hydrogenated Diamond Surface in Liquid Phase by Radical Initiators Used in Polymer Synthesis
  • コウブンシ ゴウセイヨウ ラジカル ハッセイ シヤク ニ ヨル スイソカ ダイヤモンド ヒョウメン ノ エキソウ チュウ デ ノ スイソ ヒキヌキ ハンノウ

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抄録

高分子合成に使用される,種々のラジカル発生試薬を利用して,液相中でのラジカル反応により,水素化ダイヤモンド表面の水素原子を引き抜く化学反応について調査した.一般的な光増感剤であるベンゾフェノンを,紫外線により励起させた場合には,ダイヤモンド表面の水素を引き抜くことができなかった.また,アゾ化合物のラジカル開始剤である,α,α′-azobisisobutyronitrile (AIBN)を使用して熱解離によりラジカルを発生させた場合にも,ダイヤモンド表面の水素を引き抜くことができなかった.一方,過酸化物のラジカル開始剤である,過酸化ベンゾイルを使用した場合には,ダイヤモンド表面の水素を引き抜くことができた.過酸化ベンゾイルによる,ダイヤモンド表面の水素引き抜き反応の反応速度は,溶媒に依存することがわかった.また,過酸化ベンゾイルによる反応では,(100)面のCH2基に帰属される水素が,(111)面に存在するCH3基の水素原子より引き抜かれやすいことがわかった.

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