硝酸インジウム(III)と硝酸スズ(IV)の熱分解法による酸化インジウム(III)-酸化スズ(IV)膜の作成とその電気抵抗

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タイトル別名
  • Electric Resistivity of Indium(III) Oxide-Tin(IV) Oxide Films Prepared by Thermal Decomposition of Indium(III) Nitrate and Tin(IV) Nitrate
  • 硝酸インジウム（ＩＩＩ）と硝酸すず（ＩＶ）の熱分解法による酸化インジウム（ＩＩＩ）‐酸化すず（ＩＶ）膜の作成とその電気抵抗

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説明

硝酸インジウム(III)のアセチルアセトン溶液とスズを硝酸とアセチルアセトンに溶解した液の混合物をアセトソで希釈して,原料液とした。この溶液を基板上に塗布し,55℃で乾燥したのち400～60℃の電気炉中で焼成して透明導電膜を作成した。薄膜の生成過程は示差熱テンビン分析,赤外吸収スペクトル分析,X線回折および電子顕微鏡観察などにより調べた。また塗布する基板の種類,酸化スズの含有量,焼成温度および時間などが薄膜の電気抵抗におよぼす影響を調べた。<BR>原料液は硝酸イオソを含むアセチルアセトナートであり,150℃付近ではげしい発熱をともなう分解反応が起こり,400℃ 以半で酸化インジウム(III)-酸化スズ(IV)膜を生成し透明導電膜になる. 基板にソーダ石灰ガラスを使用するとガラス中のナトリウムが薄膜中に拡散して薄膜の電気抵抗炉大きくなり,石英ガラスまたは酸化ケイ素膜を形成したガラス基板を用いたものはナトリウムの影響がなく,抵抗は小さい。酸化インジウム(III)に酸化スズ(IV)を5%程度添加した薄膜は最小の電気抵抗を示し,500℃ で1時間焼成した場合のシート抵抗は膜厚40nmで1.8kΩ/□,80nmで0.4kΩ/口である。

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