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- 伏信 一慶
- 東京工業大学 大学院理工学研究科 機械制御システム専攻
書誌事項
- タイトル別名
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- Electro-thermal modeling of the on-resistance self-heating in SiC MOSFET channel
- SiC MOSFET チャネルブ オン テイコウ ジコ ハツネツ ノ エレクトロサーマルモデリング
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説明
An electro-thermal model of the on-resistance self-heating in SiC MOSFET channel region is proposed. The model consists of the heat generation rate of the steady-state self heating due to the drain current of long channel MOSFET, lattice temperature rise due to the heat generation rate, and the electron temperature rise calculated from the lattice temperature and the electric field. This is the first attempt to consider the major factors of the mobility and to predict the electron temperature rise.
収録刊行物
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- 日本伝熱学会論文集
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日本伝熱学会論文集 20 (1), 7-13, 2012
社団法人 日本伝熱学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679391187584
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- NII論文ID
- 10030401108
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- NII書誌ID
- AA11358679
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- BIBCODE
- 2012TSE....20....7F
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- ISSN
- 18822592
- 09189963
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- NDL書誌ID
- 023368499
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
