シランガスの連続発振CO<SUB>2</SUB>レーザーによる励起とCARS診断CO<SUB>2</SUB>レーザーCVDプロセス

書誌事項

タイトル別名
  • Laser-induced Deposition of Silicon Films and CARS Diagnostics CO<SUB>2</SUB> Laser Assisted CVD Processes
  • シランガスの連続発振CO2レーザーによる励起とCARS診断--CO2レーザーCVDプロセス
  • シランガス ノ レンゾク ハッシン CO2レーザー ニ ヨル レイキ ト CA
  • Laser-induced Deposition of Silicon Films and CARS Diagnostics CO2 Laser Assisted CVD Processes

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説明

シランガスからの無定形シリコン薄膜の生成が連続発振CO2赤外レーザー照射により促進された。この機構を解明するためラマン分光法の一種であるCARS(コヒーレント反ストークスラ々ン分光)法を用いて基板近傍の活性種の分析とその振動・回転状態の解析を行なった。CO2レーザーの波長はシランガスの室温のスペクトルにおいて吸収の強い10.220μmと弱い10.591μmの二つとし,光の方向は基板に垂直とした。基板との距離1を変えてCARSスペクトルをとったところ1=∞のとき,10.220μmではSiH4(ν1モード)の甲転励起したスペクトルが得られたが,10.591μmではその室温のスペクトルであった。lを小さくして1mmのとき10.220μm,10.591μmの両者ともにCARSスペクトルに二つのピークがみられた。一方はSiH4のν1バンドであったが,もう一つはそのホットバンドまたは反応生成物である2H6であろうと推定された。シランに窒素ガスを混入させてN2のCARSスペクトルをとることでガス温度が求まり,シランのCO2レーザーによる反応機構が検討された。

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