17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子

冨留宮 正之, 森本 倫弘, 畑野 啓介, 南 数馬, 穂苅 泰明, 川上 幸也, 中野 隆, 河合 真一, 村上 一朗, 織原 弘三, 武藤 信彦, 諏訪園 忍, 寺西 信一, 河野 明啓

doi:10.11485/tvac.29.0_301

17-6 高感度1/4インチ25万画素CCD撮像素子

DOI

冨留宮正之

NECULSIデバイス開発研究所
森本倫弘

NECULSIデバイス開発研究所
畑野啓介

NECULSIデバイス開発研究所
南数馬

NECULSIデバイス開発研究所
穂苅泰明

NECULSIデバイス開発研究所
川上幸也

NECマイクロエレクトロニクス研究所
中野隆

NECマイクロエレクトロニクス研究所
河合真一

NECマイクロエレクトロニクス研究所
村上一朗

NECマイクロエレクトロニクス研究所
織原弘三

NECマイクロエレクトロニクス研究所
武藤信彦

NECマイクロエレクトロニクス研究所
諏訪園忍

NECマイクロエレクトロニクス研究所
寺西信一

NECマイクロエレクトロニクス研究所
河野明啓

NECシステムマイクロ事業部

書誌事項

タイトル別名

High-sensitivity 1/4-Inch 250k pixel CCD Image Sensor

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説明

A high-sensitivity 1/4" 250k pixel Interline Transfer CCD (IT-CCD) image sensor has been developed. To achieve high-sensitivity, high-energy ion implantation process is adopted for photodiode (PD) formation. According to device simulation results, transfer gate (TG) and channel stop (CS) length are reduced to increase saturation signal. Sensitivity improvement of 35% are obtained, as well as 100mV saturation signal. Low smear level of -95dB is also achieved.