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- 堤 利幸
- 明治大学
書誌事項
- タイトル別名
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- The Latest SOI Device Technology and its Reliability(Advanced LSI Technology and its Reliability)
- 最新SOIデバイス技術と信頼性
- サイシン SOI デバイス ギジュツ ト シンライセイ
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抄録
SOI(Silicon on Insulator)デバイスは,ソフトエラー高耐性用デバイスとして一部に使用されていたが, SOI基板がバルク基板に比べて高価ということやSOIデバイスの信頼性などの問題から,高速・低消費電力向きCMOSデバイスとしての優れた特性を活かした実用化はなされてこなかった.ここにきてようやく, SOI基板の品質の向上, SOIの薄膜化技術の進展,先端デバイスの高性能化の要求の高まりが相乗して本格的な実用化が達成された.また研究フェーズにおいても, SOI構造は将来の新構造デバイスの研究プラットフォームとして盛んに使用されている.本橋では, SOI基板とSOIデバイスの基本技術についてまとめ, SOIデバイスの利点,課題と対策を説明する.次に, SOIバイスの最新技術を紹介して今後の展望を述べ,最近のSOIデバイスの信頼性について解説する.
収録刊行物
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- 日本信頼性学会誌 信頼性
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日本信頼性学会誌 信頼性 29 (4), 226-233, 2007
日本信頼性学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679430017280
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- NII論文ID
- 110006345477
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- NII書誌ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL書誌ID
- 8890630
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可