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- 塩野 登
- (財)日本電子部品信頼性センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Reliability of High-κ Gate Dielectrics(Advanced LSI Technology and its Reliability)
- 高誘電率ゲート絶縁膜の信頼性
- コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマク ノ シンライセイ
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抄録
CMOS LSIの高集積化・高性能化・低消費電力化は,基本構成要素のMOSFETの比例縮小則(スケーリング則)による微細化に基本を置き,その中心技術としてゲート酸化膜の薄層化がある.現状の最先端デバイスでは,その膜厚が2〜3nmとなり,物理的限界に近づいており,その代替技術として,高誘電率膜の開発が進められている.その高誘電率膜技術の開発の現状,問題点,信頼性上の着目点と現状について展望する.
収録刊行物
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- 日本信頼性学会誌 信頼性
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日本信頼性学会誌 信頼性 29 (4), 198-205, 2007
日本信頼性学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679430029824
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- NII論文ID
- 110006345474
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- NII書誌ID
- AN10540883
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- ISSN
- 24242543
- 09192697
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- NDL書誌ID
- 8890588
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可