PZT系単結晶薄膜を用いた圧電MEMSのためのYSZエピタキシャルバッファ層のウエハレベルスパッタ成膜

DOI Web Site Web Site 被引用文献2件 参考文献7件
  • 西澤 信典
    東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室
  • 吉田 慎哉
    東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室
  • 和佐 清孝
    横浜市立大学
  • 田中 秀治
    東北大学大学院工学研究科ロボティクス専攻田中（秀）研究室

書誌事項

タイトル別名
  • Sputter Deposition of YSZ Epitaxial Buffer Layer at Wafer Level for Piezoelectric MEMS Utilizing PZT-based Monocrystalline Thin Film
  • PZTケイタンケッショウ ハクマク オ モチイタ アツデン MEMS ノ タメ ノ YSZ エピタキシャルバッファソウ ノ ウエハレベルスパッタセイマク

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抄録

<p>Yttria-stabilized zirconia (YSZ) for the initial buffer layer of lead zirconate titanate (PZT) was epitaxially deposited on a 4 inch Si wafer by radio-frequency magnetron sputtering, which was potentially applicable to mass-production. To avoid excessive oxidation of a Si surface, a seeding later was formed on Si by repeating the sputter-deposition and thermal oxidation of metallic Zr and Y. On the seed layer, YSZ was deposited up to 100 nm in thickness by reactive sputtering at 800℃. Cube-on-cube epitaxial growth and excellent crystallinity were confirmed by X-ray diffraction (XRD). On the buffer layer including YSZ at the bottom (YSZ/CeO2/LSCO/SRO), monocrystalline doped-PZT (PMnN-PZT) was grown by sputter-deposition, demonstrating the usefulness of the developed YSZ buffer layer deposition technology.</p>

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