バックチャネル効果削減によるチャネル保護膜型TFTの信頼性向上効果

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タイトル別名
  • Reliability Improvement of Channel-Passivation-type TFT By The Reduction of Back-Channel Effect

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説明

アモルファスシリコン/チャネル保護膜-界面処理の解析によりa-Si上に薄SiOxNyを成膜する事で裏TFT閾値が大きく移動しTFTのバックチャネル起因リークを抑制出来る事が初めて判明した。TEM観察、ホール伝導性測定、裏TFT電流電圧特性のVd依存性により、SiOxNy成膜初期状態において電荷が形成されていると思われる。薄SiOxNy処理はリーク改善によってVglマージンを改善するのみならず、基準電圧の変化によりVghマージンシフトも改善可能である。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282679500901376
  • NII論文ID
    110003690160
  • NII書誌ID
    AN1059086X
  • DOI
    10.11485/itetr.22.57.0_25
  • ISSN
    24241970
    13426893
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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