DC型PDPにおけるY_2O_3陰極の動作機構と特性改善

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タイトル別名
  • Mechanism and improvement of Y_2O_3 cathode in DC-PDP

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抄録

絶縁物であるY_2O_3が、DC型PDPの陰極として働くには、何らかの導電機構が必要物ある。今回、動作機構の解明の一環としてこの導電機構を解明するためにY_2O_3膜の特性評価と放電前後での特性の変化を調べた。その結果、高温の工程でY_2O_3中に形成されるクラックから、エージングにより下地電極のAlがスパッタされ、これがY_2O_3表面を極薄く覆うことにより、導電路が形成されることがわかった。同時にこのスパッタにより短寿命となる。Niを下地電極として用いるとより細かいクラックを作ることができる。これにより、Al電極より、長寿命な陰極を形成できる。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282679501420928
  • NII論文ID
    110003686515
  • NII書誌ID
    AN1059086X
  • DOI
    10.11485/itetr.23.1.0_137
  • ISSN
    24241970
    13426893
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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