高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復(イメージセンサおよび一般,2015 IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

  • 木村 雅俊
    ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社
  • 山口 直
    ルネサスエレクトロニクス株式会社
  • 黒井 隆
    ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社

書誌事項

タイトル別名
  • Investigation of Implantation Damage Recovery using Microwave Annealing for High Performance Image Sensing Devices
  • 高性能イメージセンサへのマイクロ波アニールによるイオン注入損傷回復
  • コウセイノウ イメージセンサ エ ノ マイクロハ アニール ニ ヨル イオン チュウニュウ ソンショウ カイフク

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抄録

近年のイメージセンサ性能向上でダイナミックレンジに影響のある飽和電子数増加が要求されているが、その実現策は暗時特性を悪化させる場合が多い。また、ロジックトランジスタの性能向上はデータ転送速度向上要求から必須だがそのプロセス改善もトレードオフとなる。最近では異なるプロセスで形成したチップを積層するイメージセンサが製品化されているが、製造プロセスの複雑さから歩留り悪化/コスト増加等の問題点も残る。今回、我々は暗時特性改善とロジックトランジスタの両立を目的として、新たにマイクロ波による熱処理を加えることで、WS(ホワイトスポット)低減とトランジスタ性能悪化抑制を両立できたので、その内容を報告する。

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