3次元積層技術を用いた多層フォトダイオードCMOSイメージセンサによるマルチバンドイメージング(固体撮像技術および一般)

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タイトル別名
  • Multi-storied photodiode CMOS image sensor for multiband imaging with 3D technology
  • 3次元積層技術を用いた多層フォトダイオードCMOSイメージセンサによるマルチバンドイメージング
  • 3ジゲン セキソウ ギジュツ オ モチイタ タソウ フォトダイオード CMOS イメージセンサ ニ ヨル マルチバンドイメージング

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説明

3次元積層技術を用いた多層フォトダイオードCMOSイメージセンサによるマルチバンドイメージングを実証した.このイメージセンサは,フォトダイオードアレイを有した複数の基板を積層し,それぞれのフォトダイオードアレイを独立して駆動する事で,最適化した駆動条件でそれぞれの画像を取得できる.また積層構造を活かし,これまでの2次元構造で用いられたようなRGB (Red, Green, Blue)画像に限らずIR(赤外)画像も同時に取得するといったマルチバンドイメージングが実現可能である事を確認した.この際にそれぞれのフォトダイオードアレイでRGB画像とIR画像を同一デバイスで同時に撮像可能であり,RGB画像の画質劣化を引き起こす事もない.このような特徴を活かし,これまでのIRイメージセンサとRGBイメージセンサを組み合わせたシステムと比較し,より小型・安価かつ多機能なシステムの実現が期待される.

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