書誌事項
- タイトル別名
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- Performance Improvement and Application of Organic Thin-film Transistor
- ユウキ TFT ノ コウセイノウカ ト オウヨウ テンカイ
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説明
The interfaces, organic semiconductor/gate insulator and organic semiconductor/ source-drain (S-D) electrodes, in organic thin-film transistors (TFTs) are crucial for the improvement of transistor characteristics. We describe (1) the improvement of mobility and lowering driving voltage by treating the gate-insulator surface with self-assembled monolayers, and (2) the reduction of contact resistance by employing a carrier injection layer for the S-D electrodes in bottom-contact organic TFT.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌. A
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電気学会論文誌. A 128 (7), 467-470, 2008
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679570094080
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- NII論文ID
- 10021130146
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- NII書誌ID
- AN10136312
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- ISSN
- 13475533
- 03854205
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- NDL書誌ID
- 9564969
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可