ポテンシャル制御量子井戸と高性能光変調デバイス

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タイトル別名
  • Potential-tailored quantum wells and high-performance optical modulators

抄録

量子井戸光変調デバイスは半導体量子井戸における量子閉じ込めシュタルク効果に立脚しているが,通常は矩形量子井戸を用いているので,光導波路型構成ではTE偏光のみしか扱えず,また吸収端から離れた透明域では電界誘起屈折率変化もきわめて小さい.ポテンシャル制御量子井戸とは,矩形以外の任意のポテンシャル分布をもつ量子井戸で,バンドエンジニアリング的手法で選定,設計されたものである.放物線董子井戸および質量依存井戸幅量子井戸は,偏光無依存化に有用である. 5層非対称結合量子井戸 (FAGQW) では,透明域での巨大な電界誘起屈折率変化が予測されており,超高速・低電圧・広波長域光変調デバイスのために有望と考えられている.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 69 (11), 1292-1298, 2000

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282679572850688
  • NII論文ID
    130003594076
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.69.1292
  • COI
    1:CAS:528:DC%2BD3cXot1Shu74%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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