Electronic structures of spin-related functional materials
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- SHIRAL Masafumi
- Graduate School of Engineering Science, Osaka University
Bibliographic Information
- Other Title
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- スピン機能材料の電子状態
- 解説 スピン機能材料の電子状態
- カイセツ スピン キノウ ザイリョウ ノ デンシ ジョウタイ
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Abstract
III-V族希薄磁性半導体における強磁性発現機構を, 第一原理計算された (Ga, Mn) ASの電子状態をもとに議論する.その結果, Mn 3d 軌道と価電子バンドの主成分であるAs 4p 軌道の間の混成が,強磁性発現のための重要な因子であることが明らかになった.この結果を踏まえて, III-V族化合物半導体をベースとした新たな強磁性体として,せん亜鉛鉱型CrAsおよび希薄磁性半導体 (Ga, Cr) As が,高い転移温度をもつことが予測される.
Journal
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- Oyo Buturi
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Oyo Buturi 70 (3), 275-278, 2001
The Japan Society of Applied Physics
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679573727616
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- NII Article ID
- 10009394613
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- NII Book ID
- AN00026679
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- COI
- 1:CAS:528:DC%2BD3MXisl2lsLc%3D
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- ISSN
- 21882290
- 03698009
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- NDL BIB ID
- 5690863
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed
