Nature and generation of grown-in defects in silicon crystals

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  • シリコン結晶中の成長時導入欠陥の実体と生成挙動
  • シリコン ケッショウチュウ ノ セイチョウジ ドウニュウ ケッカン ノ ジッタ

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CZシリコン結晶中のOSFリング内側に生成する成長時導入欠陥の実体と生成挙動について紹介する.従来異なる欠陥であると考えられてきた数種の成長時導入欠陥は同一の欠陥であり,数nmの薄い酸化膜で覆われたハ面体空洞であると推測した.また,これらの欠陥は1100°C近傍約30°Cの狭い温度域で空孔の凝集によって急速に成長し,その後の冷却週程で空洞内壁にシリコン酸化物が成長することを明らかにした.さらに,OSFリングの半径および成畏時導入欠陥のタイプが結晶成長速度Vと融点直下の結晶内温度勾配Gの比V/Gによって決定されることを示した.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 66 (7), 720-723, 1997

    The Japan Society of Applied Physics

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