シリコン結晶中の成長時導入欠陥の実体と生成挙動

DOI Web Site 参考文献12件
  • 宝来 正隆
    住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
  • 西川 英志
    住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
  • 田中 忠美
    住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
  • 梅野 繁
    住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
  • 奥井 正彦
    住友金属工業(株)未来技術研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Nature and generation of grown-in defects in silicon crystals
  • シリコン ケッショウチュウ ノ セイチョウジ ドウニュウ ケッカン ノ ジッタ

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説明

CZシリコン結晶中のOSFリング内側に生成する成長時導入欠陥の実体と生成挙動について紹介する.従来異なる欠陥であると考えられてきた数種の成長時導入欠陥は同一の欠陥であり,数nmの薄い酸化膜で覆われたハ面体空洞であると推測した.また,これらの欠陥は1100°C近傍約30°Cの狭い温度域で空孔の凝集によって急速に成長し,その後の冷却週程で空洞内壁にシリコン酸化物が成長することを明らかにした.さらに,OSFリングの半径および成畏時導入欠陥のタイプが結晶成長速度Vと融点直下の結晶内温度勾配Gの比V/Gによって決定されることを示した.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 66 (7), 720-723, 1997

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (12)*注記

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