Metal/Semiconductor構造における金属電極直下に広がる空乏層の光音響信号

DOI Web Site Web Site 参考文献16件
  • 村上 雅彦
    神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科
  • 高畠 信也
    神奈川工科大学創造工学部ホームエレクトロニクス開発学科
  • 佐藤 和紀
    東海大学情報理工学部コンピュータ応用工学科
  • 荒井 俊彦
    神奈川工科大学工学部電気電子情報工学科

書誌事項

タイトル別名
  • Photoacoustic Signals of Depletion Layer Spread beneath Metal Electrode in Metal/Semiconductor Structure
  • Metal/Semiconductor コウゾウ ニ オケル キンゾク デンキョク チョッカ ニ ヒロガル クウボウソウ ノ ヒカリ オンキョウ シンゴウ

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抄録

The photoacoustic signal from the depletion layer beneath the metal electrode in a metal/semiconductor (M/S) structure was detected using the photoacoustic method. To measure the reverse-bias voltage dependence of distribution of the photoacoustic signal from the depletion layer, the surface of the electrode was illuminated and scanned by an intensity-modulated optical-beam. It was obtained that the photoacoustic signal phase differences between depletion layer generating and non-depletion layer were dependent on the depletion layer spreading. One dimensional scanning on the electrode has also revealed that spreading of a depletion layer extends from the each edges of an electrode.

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参考文献 (16)*注記

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