書誌事項
- タイトル別名
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- Growth of Semipolar InN on r-plane (10-12) Sapphire by RF-MBE
- RF MBEホウ ニ ヨル rメン 10 12 Sapphire キバン ジョウ ハンキョクセイメン InN ノ ケッショウ セイチョウ
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抄録
In this study, we report the growth of semipolar InN films on r-plane (10-12) substrates by radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). Semipolar InN films were successfully obtained by controlling the substrate nitridation temperature between 400°C and 600°C. We characterized the epitaxial relationship between r-plane sapphire and the obtained semipolar films using X-ray diffraction (XRD). It is found that c-axis of semipolar InN was declined by 21°from the direction perpendicular to r-plane sapphire surface along a-axis of InN.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）
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電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 129 (11), 1974-1977, 2009
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679583976320
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- NII論文ID
- 10025533035
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- NII書誌ID
- AN10065950
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- ISSN
- 13488155
- 03854221
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- NDL書誌ID
- 10481867
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
