ＣＶＳ法によるスルーホール硫酸銅浴の添加剤管理

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  • Control of additives to through-hole copper sulfate plating bath by utilization of CVS method.

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ハルセル試験法に代わる添加剤管理法として期待されるCVS法の有用性を評価するため, スルーホール硫酸銅添加剤の基本的な二成分 (A: ノニオン系界面活性剤, B: 有機イオウ系化合物) について, CVS挙動と皮膜特性への影響を調べた。<BR>CVS挙動から, 成分Aは電析を強く抑制し, 成分Bは電析を促進することが明らかとなった。高信頼性の皮膜は, これらの相反する作用の二成分が共存することにより得られたが, 成分Aが皮膜特性にきわめて広い許容幅を示したのに対し, 成分Bは添加量変化に対して電析皮膜の外観性, 抗張力, 伸び率に敏感に影響し, スルーホール硫酸銅めっき基板の機能性を左右した。CVS法におけるAr (電析した銅が陽極溶解する際のピーク電流より求められる電気量) は, 成分Aの共存下において成分Bの添加量と比例関係にあり, 添加剤の有効濃度を反映していた。さらに, 連続作業浴についてArの再現性を調べた結果, めっき浴組成を一定に保てば十分に再現性が期待できることを確認した。

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