Charge Carrier Doping for Organic Transistors
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- NODA Kei
- 慶應義塾大学
Bibliographic Information
- Other Title
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- 電荷ドーピングによる有機トランジスタの素子設計
- デンカ ドーピング ニ ヨル ユウキ トランジスタ ノ ソシ セッケイ
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Description
1.研究背景 有機電界効果トランジスタ (Organic Field-Effect Transistor:OFET) は活性層を有機半導体材料で構成した電界効果トランジスタであり,デバイスの軽量化,大面積化,製造時の低コスト化への期待から,有機ELディスプレイ/電子ペーパーの駆動回路やRFIDタグなどへの応
Journal
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- The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan
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The Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan 136 (2), 78-81, 2016
The Institute of Electrical Engineers of Japan
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679972177408
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- NII Article ID
- 130005121354
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- NII Book ID
- AN10432927
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- ISSN
- 18814190
- 13405551
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- NDL BIB ID
- 027103707
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- Abstract License Flag
- Disallowed