パワーデバイス用SiC結晶

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書誌事項

タイトル別名
  • SiC Crystals
  • パワーデバイス用SiC結晶 : 4H-SiC結晶成長技術の進展
  • パワーデバイスヨウ SiC ケッショウ : 4H-SiC ケッショウ セイチョウ ギジュツ ノ シンテン
  • —4H-SiC結晶成長技術の進展—
  • — Advances in 4H-SiC Crystal Growth Technology —

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抄録

<p>1．はじめに</p><p>シリコンカーバイド（SiC）パワーデバイスは，現有シリコン（Si）デバイスよりも低損失動作が可能であることから，各種の電力変換機器の高効率化を通じて，大きなCO2排出量削減効果をもたらす技術として注目されている（1）（2）。最近では，600～3 300V級のSiCショットキーバ</p>

収録刊行物

  • 電気学会誌

    電気学会誌 137 (10), 677-680, 2017

    一般社団法人 電気学会

参考文献 (8)*注記

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