Impact of the AlN Nucleation Layer on GaN grown on Silicon Substrate by MOCVD for Power—devices

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  • パワーデバイス用GaN on Si結晶
  • パワーデバイス用GaN on Si結晶 : AlN核形成層の重要性
  • パワーデバイスヨウ GaN on Si ケッショウ : AlNカク ケイセイソウ ノ ジュウヨウセイ
  • —AlN核形成層の重要性—

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Abstract

<p>1．はじめに</p><p>近年，Siウェーハを用いたGaN on Siパワーデバイスの開発が活発である（1）。</p><p>図1にAl GaN/GaN HEMT on Siエピタキシャルウェーハ（以下，HEMT on Siエピウェーハ）の構造を示す（2）。GaとSiのメルトバックエッチング（3）を防止するため初期</p>

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