高強度反応焼結炭化ケイ素の開発

  • 須山 章子
    (株) 東芝電力・産業システム技術開発センター (浜川崎工場)
  • 伊藤 義康
    (株) 東芝電力・産業システム技術開発センター (京浜事業所)
  • 香山 晃
    京都大学エネルギー理工学研究所
  • 加藤 雄大
    京都大学エネルギー理工学研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Development of High Strength Reaction-Sintered Silicon Carbide.
  • コウキョウド ハンノウ ショウケツ タンカ ケイソ ノ カイハツ

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説明

In reaction-sintered silicon carbides, usually 10-40vol% of the residual silicon phase remains after the reaction-sintered process. For this reason, the bending strength of reaction-sintered silicon carbides decreases to or below 300MPa. The raw material composition (C/SiC) and the starting particle size were optimized in order to decrease the volume fraction of residual silicon and the SiC grain size. There was a tendency for the strength to increase with decreasing the residual silicon size. The strengthening effect may be attributed to the reduced residual silicon size. A reaction-sintered silicon carbide with a high bending strength of 1000MPa could be developed by the present optimization method.

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参考文献 (16)*注記

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