書誌事項
- タイトル別名
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- Refinement of .BETA.-Si3N4 Single Crystal Grown from Silicon Melt.
- ヨウユウ ケイソ カラ イクセイ シタ ベータ Si3N4タンケッショウ ノ セイセイ
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抄録
Silicon powder in a reaction-sintered silicon nitride crucible was heated at 1600°C in a nitrogen atomosphere. Clustered β-Si3N4 single crystals were obtained in residual silicon metal after cooling. The silicon residuals were dissolved by chemical purification using a mixture of aqueous HF and HNO3, and subsequently treated and with H2SO4. Scanning electron microscopy observation showed that large β-Si3N4 crystals without Si residuals could be successfully separated by this process.
収録刊行物
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- Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌)
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Journal of the Ceramic Society of Japan (日本セラミックス協会学術論文誌) 108 (1257), 515-517, 2000
公益社団法人 日本セラミックス協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680225483776
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- NII論文ID
- 110002289842
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- NII書誌ID
- AN10040326
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- ISSN
- 18821022
- 09145400
- http://id.crossref.org/issn/09145400
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- NDL書誌ID
- 5378636
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可