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- 奥村 元
- (独)産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
書誌事項
- タイトル別名
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- Widegap Semiconductor Crystal Growth Technology for Power Electronics Innovation
- パワーエレクトロニクス カクシン ニ ムケタ ワイドギャップ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ ギジュツ
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抄録
From the viewpoint of power electronics application, widegap semiconductors such as SiC and GaN have been recently attracted much attention. These materials are expected as electronic materials for high-power switching devices owing to their superior material properties. For the innovation of power electronics contributing to the global warming problem, crystal growth technology of these materials are quite essential. In this report, I will briefly introduce the importance of power electronics and related widegap semiconductor crystal growth technology.<br>
収録刊行物
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- Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ
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Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ 54 (6), 335-338, 2011
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680271949184
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- NII論文ID
- 10029319108
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- NII書誌ID
- AA12298652
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- ISSN
- 18824749
- 18822398
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- NDL書誌ID
- 11189120
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可