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- 小野 新平
- 電力中央研究所 材料科学研究所
書誌事項
- タイトル別名
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- High Performance Organic Field-Effect Transistors with High-k Insulator Deposited Directly onto the Organic Semiconductor
- ゲンシソウ タイセキホウ オ モチイテ セイマク シタ ゴクウス ゼツエンソウ オ モチイタ ユウキ デンカイ コウカ トランジスタ
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抄録
We have produced stable organic field-effect transistors (OFETs) with an ultra-thin high-k gate insulator deposited directly on top of organic semiconductor by atomic layer deposition (ALD). We show that it is possible to fabricate devices with negligibly small threshold voltage and very low gate-bias-stress instability without sacrificing carrier mobility. These results indicate that the interface between organic semiconductor and gate insulator made by ALD is suitable to realize high-quality OFETs, operating at small gate voltage. In addition, the dielectric layer acts as a perfect passivation layer protecting organic semiconductors from degradation.<br>
収録刊行物
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- Journal of the Vacuum Society of Japan
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Journal of the Vacuum Society of Japan 58 (3), 104-108, 2015
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680272808832
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- NII論文ID
- 130005130500
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- NII書誌ID
- AA12298652
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- ISSN
- 18824749
- 18822398
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- NDL書誌ID
- 026236427
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可