書誌事項
- タイトル別名
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- Electron Bombarded Semiconductor Devices; It's Fundarnentals and Applications
- EBS ソウチ ノ ゲンリ ト オウヨウ
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説明
半導体素子に高エネルギーの電子ビームを衝撃すると電流増倍が行われる.この種の研究は今世紀のはじめより報告されているが, 最近, EBS装置 (Electron Bombarded Semiconductor Devices) の名称で高周波増幅器として注目されだした.この現象の原理を紹介し, これを応用した高周波増幅管, パターン発生管, 光電子増倍管, 撮像管, データ蓄積管について解説する.
収録刊行物
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- テレビジョン
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テレビジョン 30 (9), 720-726, 1976
一般社団法人 映像情報メディア学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680373868544
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- NII論文ID
- 110003697184
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- NII書誌ID
- AA11822776
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- ISSN
- 03743470
- 18849644
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- NDL書誌ID
- 1728817
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可