無電解めっき法による超微細接続用Auバンプの作製と評価

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タイトル別名
  • Development of Au bump for by electroless deposition and its application to flip chip bonding

説明

無電解めっき法を用いて微細接続用Auバンプの作製を試みた．一般的に無電解Auめっきは析出速度が遅く，バンプ等の厚膜形成が必要な構造の作製には不向きとされている．そこで，反応面積を減少させ界面イオン濃度を増加させることで析出速度の向上を試みた．金属塩濃度の最適化や浴温の最適化も合わせて行うことで，約4倍の析出速度を得ることが出来た．そこで，実際のバンプの作製を試みたところ，10μm角，高さμum，20μmピッチのバンプの作製が可能となった．また，作製した金バンプは接合に必要な比較的低い硬度を示し，本プロセスにより，微細接続用Auバンプの作製が可能となった．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680531094400
  • NII論文ID
    130005010861
  • DOI
    10.11486/ejisso.21.0.69.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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