低誘電正接・低CTEビルドアップ絶縁材料

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タイトル別名
  • Build-up insulator material with low dielectric tangent and low CTE

説明

近年の情報通信機器の高速化に伴い、LSIの信号高速化が進み、ICパッケージ基板用のビルドアップ絶縁材料には、ＧＨｚ帯の高周波領域での低伝送損失を目的とした低誘電正接が求められています。また、基板の高信頼性を確保するため低CTEの要求も高まっています。我々は、独自の配合技術にて、低誘電正接と低CTEを同時に実現した、次世代対応ビルドアップ絶縁材料を開発しました。更に、本材料は、フィルムのデスミア工程にて、微細な粗面が形成できることを特長としており、これにより、表皮効果による導体抵抗の低減や、銅配線の微細化を可能にする効果が期待されます。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680532406016
  • NII論文ID
    130005469546
  • DOI
    10.11486/ejisso.24.0_158
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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