Evaluation of electronic characteristics changes in MOSFETs generated by four-point bending method

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  • ４点曲げ負荷によるMOSFETの電気特性変動評価

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電子実装における信頼性の問題として，樹脂封止することで半導体チップ上に生じる応力によって，デバイスの電気特性が変動して製品に不具合が生じてしまう問題が指摘されている。　そこで本研究では，４点曲げ法によりトランジスタに応力を負荷し，電流－電圧特性の変動を計測した。その際，試験片にはゲート長とゲート幅の組み合わせが異なる複数のnMOSFETを用い，特性変動の応力感度におけるデバイス形状依存性を調べた。また，電流方向に対する負荷方向の依存性についても調べた。その結果，相互コンダクタンスの応力感度にゲート長依存性が見られた。また，電流方向と負荷方向が同じ場合は，それらが垂直の場合に比較して応力感度が大きくなることが分かった。

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  • CRID
    1390282680532731264
  • NII Article ID
    130004588909
  • DOI
    10.11486/ejisso.20.0.103.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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