垂直磁化方式MRAMに向けた三次元シミュレーションによるシールド構造の検討

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • A Novel Magnetic Shield Structure for MRAMs with Perpendicular Magnetic Anisotropy by the 3D magnetic simulation
公開日
2011
DOI
  • 10.11486/ejisso.25.0_14
公開者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会

説明

垂直磁化で記憶を保持しているＭＲＡＭには、コの字形状の磁気シールドが有効である事を積分要素法に基づく３Ｄシミュレーションにより明らかにした。　次世代メモリとして期待されているＭＲＡＭは外部静磁場への対策が重要である。従来のＭＲＡＭは水平磁化で記憶を保持していた為、平板型シールドが有効であった。しかし、垂直磁化方式については、有効なシールド構造は検討されていなかった。　本評価では、コイル等から発生する一様な磁場系でのシールド性能を算出した。材料パラメータには透磁率２０００、飽和磁束密度１［Ｔ］（パーマロイ相当）を用い、完全密閉型、平板型、コの字型等のシールド構造について評価を行った。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680532739968
  • NII論文ID
    130005469695
  • DOI
    10.11486/ejisso.25.0_14
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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