Sn基BGA実装部の熱疲労信頼性におよぼす結晶方位の影響

書誌事項

タイトル別名
  • Influence of crystallographic orientation on thermal fatigue reliability of Sn-based BGA joint
公開日
2012
DOI
  • 10.11486/ejisso.26.0_393
公開者
一般社団法人エレクトロニクス実装学会

説明

近年,次世代高密度半導体パッケージ内部では100μm程度のSn基合金が用いられ,その組織は単結晶であることが知られている.Sn基バンプは,単結晶または結晶粒数が減少するとβ-Snの結晶構造である体心正方晶由来の力学的異方性が出現すると予想されるが,これらの影響に関する理解は得られていない.そこで,β-Sn単結晶を用いた圧縮試験・低サイクル疲労試験より得られた力学特性を基にFEMにおける異方性の検討を行い,BGA (Ball Grid Arroy) 接合部の疲労信頼性について検討し,Snと同じ異方性を有し,はんだ合金として代表的なSn-Ag-Cu合金においても検討する.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533199488
  • NII論文ID
    130005469937
  • DOI
    10.11486/ejisso.26.0_393
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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