低誘電率層間絶縁膜の熱応力におよぼすアンダーフィル物性の影響

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Effect of material properties of underfill on thermal stress of Low-k layer in high-density semiconductor package

抄録

近年,高密度LSIの開発において低誘電率層間絶縁膜(Low-k層)の破壊が問題となっており,これを防止する周辺構造及び材料の開発が求められている. この検討には有限要素法解析(FEM)が有力となるが,再現するためには膨大な規模のモデリングが必要になり,またその信頼性解析は,微細複雑構造に対して,製造プロセスから完成後の挙動に至る複数物理領域の現象を解くことが求められる.この解決策として並列処理を用いた大規模FEM解析の活用が期待される.本研究では,並列処理を用いた大規模FEMによりLow-k層を再現したモデルのアンダーフィル硬化過程における熱応力解析を実施し,Low-k層の熱応力におよぼす周辺機器及び材料の影響について検討する.

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533203328
  • NII論文ID
    130005469943
  • DOI
    10.11486/ejisso.26.0_391
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ