Development of Photothermal Reflectance Method for Micro-scale Thermal Resistance in Semiconductor Devices

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Other Title
  • 周期加熱サーモリフレクタンス法を用いた半導体デバイス内部におけるマイクロスケール熱抵抗評価技術の開発
  • Measurement of Au-Si Two-layered Samples with Different Interfacial Thermal Resistances
  • 界面熱抵抗の異なるAu-Si 2層試料の測定

Description

近年，半導体デバイスの小型化・高集積化に伴った発熱密度増加により高度な熱制御技術が不可欠であり，熱的特性の解明が必要とされている．本研究では，デバイスの微小な放熱経路であるフリップチップ接続部の熱抵抗・劣化度の評価を目的とし，周期加熱サーモリフレクタンス法を用いたマイクロスケール接合部の界面熱抵抗測定手法および装置の開発を行っている．本報ではAu-Siの2層試料を熱圧着より作製し，界面熱抵抗の異なる試料の測定を行うことで2オーダーの違いを捉え，熱抵抗の評価を行ったのでその結果を報告する．

Journal

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680562578432
  • NII Article ID
    130004648421
  • DOI
    10.11368/nhts.2010.0.146.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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