SiC MOSFETチャネル部オン抵抗自己発熱のエレクトロサーマルモデリング
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- 伏信 一慶
- 東京工業大学
書誌事項
- タイトル別名
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- Electro-thermal modeling of the on-resistance self-heating in SiC MOSFET channel
説明
SiC MOSFETチャンネル部における、オン抵抗による定常的な自己発熱のエレクトロサーマルモデルを提案する。長チャンネルMOSFETに対するドレイン電流モデルによる発熱、発熱による格子温度上昇、格子温度上昇とチャネル電界強度による電子温度上昇により構成される、self-consistentなlumpedモデルである。ドレイン電流による発熱と（格子）温度上昇のエレクトロサーマル解析例には既往報告があるが、主要な移動度決定因子を包含し、電子温度予測にまで拡張した例は無く、今回のモデルが初めての試みとなる。
収録刊行物
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- 日本伝熱シンポジウム講演論文集
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日本伝熱シンポジウム講演論文集 2011 (0), 76-76, 2011
社団法人 日本伝熱学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680566859520
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- NII論文ID
- 130005019389
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
