SrTiO<sub>3</sub>シード層導入によるMOCVD法PZT薄膜の低温結晶化と電気特性
書誌事項
- タイトル別名
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- Low-temperature growth and electric properties of PZT thin films prepared by MOCVD using SrTiO<sub>3</sub> seed layers
説明
Pb(Zr, Ti)O3 (PZT)はPt基板上では結晶化しにくく、アモルファスや別な構造の物質になってしまう。そこでPt基板上にシード層を導入、PZTの結晶化促進が試みられている。本研究ではPt/Si基板上にPLD法によりSrTiO3シード層を成膜し、その上にPZTをMOCVD法で成膜した。その結果290℃でPZTを結晶化させることができた。ヒステリシスループによって表される強誘電性が、低温合成薄膜において観察された。SrTiO3シードの成膜条件(温度、膜厚、酸素分圧)によって上部のPZT薄膜の結晶性、配向性、残留分極値が変化した。この変化のメカニズムを考察する。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2004S (0), 34-34, 2004
公益社団法人 日本セラミックス協会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680588580352
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- NII論文ID
- 130006967756
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
