三成分系ホウ素過剰化合物AlMgB<sub>22</sub>結晶の合成と性質

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タイトル別名
  • Crystal growth and properties of ternary boron-rich compoumnd AlMgB<sub>22</sub>

抄録

ホウ素過剰ホウ化物は、熱電変換素子、軟X線モノクロメーター用、感光性半導体素子や中性子吸収材料などユニークな材料として期待されている。それらの内で、マグネシウムを含有した高ホウ化物は結晶育成が困難な場合が多いために、物理化学などの基礎的な研究の妨げになっている。著者らも、先にAlフラックスを用いて金属Mgとホウ素からAlMgB22結晶の合成条件を検討したが、蒸気圧の高い金属Mgを用いたために、AlMgB22結晶の詳細な合成条件を明らかにすることができなかった。本報告では、金属Mgの代わりにMg化合物を用いて、それをAlフラックス中でホウ素との反応からAlMgB22結晶の最適合成条件を検討することにした。原料のMg化合物は、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、シュウ酸マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、フッ化マグネシウム、ヨウ化マグネシウムなどを用いて検討した。その結果、それらの原料のうちで、比較的大きなAlMgB22結晶が得られたのはフッ化マグネシウムを使用した時で、その合成条件について詳細に検討した。また、得られた結晶については結晶学データと形態、硬さ、耐酸化性或いは磁化率の性質を調べたので、合わせて報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680588635264
  • NII論文ID
    130006967843
  • DOI
    10.14853/pcersj.2004s.0.175.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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