The synthesis of ZrN film by sol-gel method

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  • ゾル・ゲル法による窒化ジルコニウム(ZrN)薄膜の合成

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窒化ジルコニウム(ZrN)は、高い電気伝導度と高硬度に着目して多くの応用が期待されている。これまで、ZrN薄膜はスパッタリング法などにより作製されてきたが、成膜面積やその形状が制限されるという欠点があることから、本研究では、大規模な装置を必要とせず非常に簡便な操作で、様々な基板上に大面積で成膜ができるゾル・ゲル法を用いた薄膜作製に注目した。薄膜は、スピンコート法で各種基板上に堆積させたゲル膜を窒素気流中で1200_から_1400℃の焼成を行うことで作製した。薄膜を窒化するには、焼成の際に強い還元雰囲気にすることが重要で、新しい熱炭素窒化法を応用することでその問題を解決し、ZrN薄膜の合成に成功した。

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  • CRID
    1390282680592321408
  • NII Article ID
    130006972526
  • DOI
    10.14853/pcersj.2005f.0.519.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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