層状構造強誘電体の欠陥構造と物性

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Defect structure and properties in layered ferroelectrics

抄録

層状構造をもつチタン酸ビスマス（Bi4Ti3O12 : BiT）は，比較的大きな自発分極（Ps）をもつ強誘電体であることから，不揮発性メモリーや非鉛圧電材料として期待されている．しかし，現在までに得られている多結晶体や薄膜の残留分極（Pr）は小さく，自発分極から予想される値よりも小さい．これは，格子欠陥がドメイン壁をピニングし，電界による分極反転を妨げていることに起因する．本研究では、Bi4Ti3O12の分極特性を向上させるための材料設計指針を得ることを目的として，第一原理バンド構造計算により、Bi4Ti3O12の格子欠陥の解析を行った。また，単結晶を用いて育成時の酸素分圧がリーク電流および分極特性に及ぼす影響を調査した．

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680593219200
  • NII論文ID
    130006973993
  • DOI
    10.14853/pcersj.2005f.0.166.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ