強誘電体薄膜キャパシタの高速分子動力学シミュレーション

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タイトル別名
  • Fast molecular-dynamics simulations for ferroelectric thin-film capacitors

抄録

強誘電体薄膜は不揮発性ランダムアクセスメモリー(FeRAM)と して応用され, その微細化が求められている. また, 分極 特性やヒステリシスの膜厚依存性(ナノサイズ効果)が強誘電体 の基礎物性として実験と理論の両面から盛んに研究されている ところである. 強誘電体の分子動力学シミュレーションは長距離の双極子間相互作用を 含むために大規模な系を高速に計算することが困難であった. また, 強誘電体薄膜のシミュレーションでは強誘電体－電極界面の 構造に起因する反分極場をいかにして取り込むかが課題であった. そこで, われわれはフォノンの逆空間での分散関係と高速 フーリエ変換 (FFT) を巧妙に用いた強誘電体薄膜の高速な 分子動力学手法を開発た. 分子動力学ハミルトニアンとしては 第一原理計算より求められるポテンシャルを用いる. feram と命名し, http://loto.sf.net/feram/ でフリーソフトウエア として公開している.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680594154496
  • NII論文ID
    130006975384
  • DOI
    10.14853/pcersj.2009f.0.1a03.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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