Preparation and thermal stability of Zn2SnO4 and MgIn2O4 transparent conducting thin films with spinel structure

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  • スピネル型構造を有するZn2SnO4およびMgIn2O4透明電極薄膜の作製と熱的安定性

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透明電極を下部電極として利用することで、様々な透明デバイスへの応用が可能である。現在、透明電極はディスプレイや導電性フィルムなど様々なデバイスに応用されているが、代表的な透明電極であるITOはBixbyite型の結晶構造であり、ペロブスカイト型やスピネル型の結晶との格子のマッチングは必ずしも高くない。本研究では、ペロブスカイト型およびスピネル型のどちらの構造を持つ物質もその上にエピタキシャル成長させることが可能な透明電極としてZn2SnO4およびMgIn2O4薄膜に注目した。本研究の目的はPLD法で作製したZn2SnO4、MgIn2O4薄膜の結晶構造や配向性および熱的安定性を調査し、Zn2SnO4およびMgIn2O4薄膜の透明下部電極としての可能性を検討することを目的とする。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680594300416
  • NII Article ID
    130006975615
  • DOI
    10.14853/pcersj.2011s.0.521.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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