(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3/B-doped diamond積層構造の作製と高温動作に関する検証

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タイトル別名
  • Fabrication of (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3/B-doped diamond layered structure and their high temperature operations

抄録

ワイドギャップ半導体ダイヤモンドと非鉛強誘電体材料BiFeO3（BFO）を用いた高温動作型FeRAMの実現を目指し、BFO/ダイヤモンド積層構造の作製を試み、高温環境における強誘電特性に関する基礎的検討を行った。MPCVD法を用いて(111)ダイヤモンド単結晶基板上にB添加ダイヤモンド薄膜をホモエピ成長させた。その上にPLD法を用いてPr,Mn同時添加BFO（BPFM）薄膜を堆積した。XRDパターンより、B添加ダイヤモンド層上にBPFMがランダム配向で結晶化している事を確認した。BPFMは室温で良好なP-Eヒステリシスを示し、900kV/cm印加時に2Pr: 90C/cm2および2Ec: 740kV/cmが確認された。また、室温～170℃において、リーク電流の影響の殆ど無い良好な強誘電性を保持出来た。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680595219712
  • NII論文ID
    130006977059
  • DOI
    10.14853/pcersj.2011f.0.319.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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