A low-temperature synthesis of zinc oxide films

DOI

Bibliographic Information

Other Title
  • 溶液法による酸化亜鉛膜の作製と物性評価

Abstract

酸化亜鉛は代表的なワイドギャップ半導体であり、透明導電膜や蛍光体としての特性を有する。溶液法での合成では低温で酸化亜鉛が直接合成できる。本研究では、溶液法を用いたZnO膜の作製を行ったところ、100℃以下でも六角柱が緻密に並び、c軸配向した膜が得られることが明らかになった。スパッタ法で作製した膜と比較したところ、柱間の空隙があり、また膜中に水分やSi、Cl等の不純物が残存していることが確認された。それらの比較に基づいて、電気特性の改善を試みたところ、500℃の焼結によって膜の緻密化が進行し、電気抵抗が低下した。

Journal

Keywords

Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680595581440
  • NII Article ID
    130006977634
  • DOI
    10.14853/pcersj.2009s.0.98.0
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

Report a problem

Back to top