非ドープ酸化チタン薄膜の磁気的・電気的性質
書誌事項
- タイトル別名
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- Mgnetic and electrical properties of undoped titanium oxide thin films
説明
スピントロニクス材料作製のアプローチの一つとして、希薄磁性半導体の研究が盛んに行なわれている。これは半導体を3d金属イオンなどの磁性イオンでドーピングすることで達成されてきた。一方、磁性イオンを含まないHfO2薄膜が室温強磁性を示すことが報告された。このような強磁性体はd0強磁性体と呼ばれ、現在までにTiO2, ZnOなど様々な系で報告がされている。LAO単結晶基板上に作製したTiO2薄膜の磁化が成膜時の酸素分圧の減少とともに増加することや、アニール処理により磁化が消失するという結果から、磁化の起源が酸素欠損であるというモデルが提案されているが、強磁性が現れる機構は十分には解明されていない。そこで、本研究ではPLD法を用いて非晶質および結晶の酸化チタン薄膜を作製し、磁気的・電気的性質を調べ、作製条件と物性との関係を明らかにすることを試みた。
収録刊行物
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- 日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
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日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集 2009S (0), 521-521, 2009
公益社団法人 日本セラミックス協会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680596918528
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- NII論文ID
- 130006979753
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可