超微粒ダイヤモンド砥粒によるシリコンウエハの研磨
書誌事項
- タイトル別名
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- Fine Polishing of Silicon Wafer Using 5nm Diamond Grain
説明
平均粒径5nmの超微粒ダイヤモンド砥粒をイオン交換水に懸濁し，そのスラリーを研磨液としてシリコンウエハの研磨を行った．研磨は，シリコンウエハラップ面について行った．実験の結果，3時間の研磨時間でRa2nmまで表面粗さは低減した．実験は，超微粒多結晶ダイヤモンド砥粒についても行った．多結晶ダイヤモンドの場合，研磨能は単結晶ダイヤモンドの場合よりも幾分良いという結果が得られた．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2003S (0), 409-409, 2003
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680625299584
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- NII論文ID
- 130004655020
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
