STM/LEED、XPSによる4H-SiC(0001)
書誌事項
- タイトル別名
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- Atomic-scale analysis of 4H-SiC(0001) surfaces by STM/LEED and XPS
- プロセス表面の原子構造解析
抄録
ワイドギャップ半導体として注目されているSiCについて、湿式洗浄およびEEM加工を行い、その表面の原子構造を解析した。LEED観察から、SiC表面はウエハ作製時におけるダメージ層を有していたが、SPM+HF洗浄によりその層を除去し、結晶性を有する表面層を露出させることがわかった。また、STM観察により、六角形を形成する原子配列が見られたが、洗浄後と加工後では、原子構造は異なっていることがわかった。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2004A (0), 385-385, 2004
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680625541760
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- NII論文ID
- 130004655662
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可